[发明专利]肖特基二极管与MOSFET的集成在审
| 申请号： | 201880059802.6 | 申请日： | 2018-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN111164762A | 公开（公告）日： | 2020-05-15 |
| 发明（设计）人： | 尼古拉斯·蒂埃里-杰巴里;侯赛因·伊莱希帕纳;阿道夫·舍纳;谢尔盖·雷沙诺夫 | 申请（专利权）人： | 阿斯卡顿公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 王建国;李琳 |
| 地址： | 瑞典*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了肖特基二极管与MOSFET的集成，更详细地，在掩埋栅格材料结构的顶部上有续流肖特基二极管和功率MOSFET。特定设计的优点允许将整个表面区域用于MOSFET和肖特基二极管结构，共享的漂移层不受肖特基二极管或MOSFET设计规则的限制，因此，与现有技术相比，可以减小厚度并增加漂移层的掺杂浓度，更接近穿通设计。这将导致器件更高的电导率和更低的导通电阻，而不会影响电压阻断性能。集成器件能够以更高的频率工作。避免了双极性退化的风险。 | ||
| 搜索关键词： | 肖特基 二极管 mosfet 集成 | ||
【主权项】：
暂无信息
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