[发明专利]用于在N掺杂的SIC层中制造P掺杂栅格的方法在审
| 申请号： | 201880059862.8 | 申请日： | 2018-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN111194477A | 公开（公告）日： | 2020-05-22 |
| 发明（设计）人： | 阿道夫·舍纳;谢尔盖·雷沙诺夫;尼古拉斯-蒂埃里·杰巴里;侯赛因·伊莱希帕纳 | 申请（专利权）人： | 阿斯卡顿公司 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329;H01L21/337;H01L29/808;H01L29/872;H01L29/739;H01L29/78;H01L29/06;H01L29/16;H01L29/36;H01L29/10 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 王建国;李琳 |
| 地址： | 瑞典*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种通过结合离子注入和外延生长而制造的栅格。采用以下步骤，栅格结构由SiC半导体材料制成：a)提供包括掺杂半导体SiC材料的衬底，所述衬底包括第一层(n1)，b)通过外延生长在第一层(n1)上形成分离的第二区域(p2)，所述外延生长添加至少一种掺杂半导体SiC材料，必要时，借助于去除部分添加的半导体材料，在第一层(n1)上形成分离的第二区域(p2)，和c)在由紧接着步骤a)之后和紧接着步骤b)之后构成的组中选择的阶段中，进行离子注入至少一次；在第一层(n1)中注入离子，以形成第一区域(p1)。可以制造具有圆角化转角以及具有高掺杂程度的上部的栅格。可以制造具有有效的电压阻断、高电流传导、低总电阻、高浪涌电流能力和快速开关的部件。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 掺杂 sic 制造 栅格 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
