[发明专利]制造具有擦除栅极的分裂栅极闪存存储器单元的方法有效
| 申请号： | 201880061962.4 | 申请日： | 2018-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN111133515B | 公开（公告）日： | 2020-12-08 |
| 发明（设计）人： | J-W·杨;C-M·陈;M-T·吴;C-C·范;N·多 | 申请（专利权）人： | 硅存储技术股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;H01L27/11517;H01L27/11521;H01L27/11531;H01L29/423;G11C16/16 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陈斌 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种形成存储器设备的方法，其中存储器单元位于存储区域，并且逻辑器件位于第一外围区域和第二外围区域。每个存储器单元包括浮栅、字线栅极和擦除栅极，并且每个逻辑器件包括一个栅极。字线栅极下方的氧化物与浮栅和擦除栅极之间的隧道氧化物分开形成，并且也是第一外围区域中的栅极氧化物。两个外围区域中的字线栅极、擦除栅极和栅极由同一多晶硅层形成。擦除栅极和源极区之间的氧化物比隧道氧化物更厚，隧道氧化物比字线栅极下方的氧化物更厚。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 具有 擦除 栅极 分裂 闪存 存储器 单元 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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