[发明专利]坩埚支承底座、石英坩埚支承装置及单晶硅的制造方法有效

专利信息
申请号: 201880062777.7 申请日: 2018-05-31
公开(公告)号: CN111373080B 公开(公告)日: 2022-02-22
发明(设计)人: 宗实贤二 申请(专利权)人: 胜高股份有限公司
主分类号: C30B29/06 分类号: C30B29/06;C30B15/00
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 张泽洲;陈浩然
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明的坩埚支承底座(12)具备能够嵌合分割石墨部件(11)的嵌合凹部(122),嵌合凹部(122)的开口边缘(123)构成为,与分割石墨部件(11)接触的接触部(P1)设置在比培育单晶硅之后残留在石英坩埚(221)的硅熔液的固化物(M1)的表面更高的位置,伴随着硅熔液固化时的膨胀而作用在分割石墨部件(11)的力作用在比接触部(P1)更低的位置。
搜索关键词: 坩埚 支承 底座 石英 装置 单晶硅 制造 方法
【主权项】:
暂无信息
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