[发明专利]放射性同位素的制造方法、放射性同位素制造装置在审

专利信息
申请号: 201880062862.3 申请日: 2018-10-30
公开(公告)号: CN111164709A 公开(公告)日: 2020-05-15
发明(设计)人: 石冈典子;近藤浩夫;渡边茂树 申请(专利权)人: 国立研究开发法人量子科学技术研究开发机构
主分类号: G21G1/10 分类号: G21G1/10;G21K5/08
代理公司: 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 代理人: 郭放;崔春植
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明提供一种抑制制造时间的放射性同位素的制造方法。放射性同位素制造方法包括:对标的物质照射放射线束的步骤;以及将因照射上述放射线束而生成并转移到气体中的上述放射性同位素从该气体提取的步骤。
搜索关键词: 放射性同位素 制造 方法 装置
【主权项】:
暂无信息
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