[发明专利]制造卤素掺杂的二氧化硅的方法有效
| 申请号： | 201880068279.3 | 申请日： | 2018-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN111278780B | 公开（公告）日： | 2022-06-14 |
| 发明（设计）人： | D·C·伯克宾德;S·B·道斯;R·M·菲亚克;李明军;P·坦登 | 申请（专利权）人： | 康宁股份有限公司 |
| 主分类号： | C03B37/014 | 分类号： | C03B37/014;C03B19/14;C03B20/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 徐鑫;项丹 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 描述了卤素掺杂的二氧化硅的制备。制备包括：用高卤素浓度掺杂二氧化硅，将卤素掺杂的二氧化硅烧结至闭孔状态，以及使得闭孔二氧化硅体经受热处理加工和/或压力处理加工。热处理的温度足够高，从而有助于俘获在空穴中或者玻璃结构的空隙中的未反应的掺杂前体发生反应，但是低于促进发泡的温度。从经过热处理和/或压力处理的卤素掺杂的二氧化硅拉制的纤芯坯棒或者光纤显示出改进的光学质量且具有更少的缺陷。当用于掺杂了高浓度卤素的二氧化硅时，热处理和/或压力处理是特别有利的。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 卤素 掺杂 二氧化硅 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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