[发明专利]用于存储器装置的内部写入调整有效

专利信息
申请号: 201880070417.1 申请日: 2018-10-15
公开(公告)号: CN111279416B 公开(公告)日: 2021-09-24
发明(设计)人: D·B·彭妮 申请(专利权)人: 美光科技公司
主分类号: G11C7/10 分类号: G11C7/10;G11C7/22
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 王龙
地址: 美国爱*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明提供用于内部时序方案的方法和系统。在存储器装置处接收数据选通DQS信号。所述DQS信号在相对于所述存储器装置的时钟的负方向上移位以引起所述存储器装置的触发器的失效点。在引起所述失效点之后,所述DQS信号在相对于所述时钟的正方向上移位。使内部写入信号IWS的转变边沿在例如写入前导的DQS周期中居中。所述IWS指示将捕获写入命令。此外,使所述转变边沿居中包含选择性地使所述IWS在所述负方向上延迟。
搜索关键词: 用于 存储器 装置 内部 写入 调整
【主权项】:
暂无信息
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