[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201880070579.5 | 申请日： | 2018-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN111295746B | 公开（公告）日： | 2023-08-11 |
| 发明（设计）人： | 佐藤好则;原英夫 | 申请（专利权）人： | 罗姆股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/822 | 分类号： | H01L21/822;H01L27/04;H02M3/28;H04L25/02 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 曾贤伟;郝庆芬 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的半导体装置具有：作为脉冲信号的发送侧的第一芯片；作为脉冲信号的接收侧的第二芯片；以及第三芯片，其使用集成变压器将第一芯片与第二芯片之间电绝缘，同时将脉冲信号从第一芯片传输到第二芯片。第二芯片和第三芯片分别具备用于经由前级的接合线接受脉冲信号的输入的第一电极。在各芯片的第一电极中的至少一个的下部区域中，设置有与第一电极电绝缘并连接到基准电位端的第二电极。由此，能够形成LC低通滤波器，从而可以降低脉冲信号的噪声。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
