[发明专利]差分输入级在审
| 申请号： | 201880070618.1 | 申请日： | 2018-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN111295838A | 公开（公告）日： | 2020-06-16 |
| 发明（设计）人： | 小丹大次郎 | 申请（专利权）人： | 德州仪器公司 |
| 主分类号： | H03F3/45 | 分类号： | H03F3/45 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 林斯凯 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在一些实施例中，一种差分输入级包含第一n型金属氧化物半导体晶体管NMOS对(220)，所述第一NMOS对耦接到第一输入(IN1)和第二输入(IN2)；第二NMOS对(205)，所述第二NMOS对耦接到所述第一输入(IN1)、第一输出节点(285)、所述第二输入(IN2)和第二输出节点(290)；第一二极管(235)，所述第一二极管耦接到所述第一NMOS对(220)和所述第一输出节点(285)；第二二极管(240)，所述第二二极管耦接到所述第一NMOS对(220)和所述第二输出节点(290)；以及级联电流源(120)，所述级联电流源耦接到所述第一NMOS对(220)和所述第二NMOS对(205)。 | ||
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【主权项】：
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