[发明专利]光电转换元件、光传感器、成像元件、化合物有效
| 申请号： | 201880072270.X | 申请日： | 2018-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN111316451B | 公开（公告）日： | 2023-07-21 |
| 发明（设计）人： | 吉冈知昭;福崎英治;益子智之 | 申请（专利权）人： | 富士胶片株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/10 | 分类号： | H01L31/10;C07D495/04;C07D495/14;H01L27/146;H10K85/60;H10K85/20;H10K30/30;H10K30/80;H10K30/82;H10K39/00;H10K39/32 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 张志楠;褚瑶杨 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明提供一种具有优异的耐热性的光电转换元件。并且，提供一种包括上述光电转换元件的光传感器及成像元件。提供一种适用于上述光电转换元件的化合物。本发明的光电转换元件依次具有导电性膜、光电转换膜及透明导电性膜，其中光电转换膜包含式(1)或(2)所表示的化合物。 |
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| 搜索关键词： | 光电 转换 元件 传感器 成像 化合物 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
