[发明专利]氮化物半导体装置有效
| 申请号： | 201880073367.2 | 申请日： | 2018-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN111344842B | 公开（公告）日： | 2023-02-21 |
| 发明（设计）人： | 柴田大辅;田村聪之;平下奈奈子 | 申请（专利权）人： | 松下控股株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/337 | 分类号： | H01L21/337;H01L21/338;H01L29/12;H01L29/778;H01L29/78;H01L29/808;H01L29/812 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 吕文卓 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 氮化物半导体装置(100)具备：基板(110)；漂移层(120)；阻挡层(130)；栅极开口部(140)，贯通阻挡层(130)；被依次设置的电子传输层(150)及电子供给层(151)，具有位于阻挡层(130)的上方的部分和沿着栅极开口部(140)的内表面的部分；栅极电极(170)，以覆盖栅极开口部(140)的方式而被设置；源极开口部(160)，贯通电子传输层(150)及电子供给层(151)；源极电极(180S)，被设置在源极开口部(160)；以及漏极电极(180D)，在平面视的情况下，栅极开口部(140)的长度方向上的端部(143)的轮廓(143a)的至少一部分，呈沿着圆弧或椭圆弧的形状。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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