[发明专利]具有集成高K金属控制栅的非易失性分裂栅存储器单元及制造方法

摘要

一种存储器设备，该存储器设备包括形成在同一半导体衬底上的存储器单元、逻辑器件和高电压器件。该存储器单元和高电压器件下方的衬底的上表面的部分相对于逻辑器件下方的衬底的上表面部分形成凹陷。该存储器单元包括设置在衬底的沟道区的第一部分上方的多晶硅浮栅，设置在沟道区的第二部分上方的多晶硅字线栅，设置在衬底的源极区上方的多晶硅擦除栅，以及设置在浮栅上方并且通过包括高K电介质的复合绝缘层与浮栅绝缘的金属控制栅。逻辑器件包括设置在衬底上方的金属栅。高电压器件包括设置在衬底上方的多晶硅栅。