[发明专利]有机硅系接着片、含有其的积层体、半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 201880077845.7 | 申请日： | 2018-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN111433307A | 公开（公告）日： | 2020-07-17 |
| 发明（设计）人： | 户田能乃;須藤学 | 申请（专利权）人： | 陶氏东丽株式会社 |
| 主分类号： | C09J7/35 | 分类号： | C09J7/35;B32B27/00;B81C3/00;C09J11/06;C09J183/04;C09J183/05;C09J183/07;H01L21/52 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人： | 徐舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 课题本发明提供一种表面具有微粘着性，能够将所切割的半导体芯片等容易地暂时固定至半导体基材上，并且通过二次固化形成对于被粘接体的永久接着性的有机硅系接着片、含有其的积层体、使用其的半导体装置、以及半导体装置的制造方法。解决方法加热前接着面从其它非粘着性基材上剥离的剥离模式为界面剥离，在50至200℃的范围加热所述接着面后，所述接着面从其它非粘着性基材上剥离的剥离模式变为凝集破坏，并具有永久接着性的有机硅系接着片；对于所述半导体用晶片粘结膜等的使用；以及具有通过所述有机硅系接着片的固化物将半导体芯片或半导体用晶片固定至基材上的构造的MEMS装置等的半导体装置。 | ||
| 搜索关键词： | 有机硅 接着 含有 积层体 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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