[发明专利]处理半导体装置结构的方法及相关系统有效
| 申请号： | 201880080027.2 | 申请日： | 2018-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN111542913B | 公开（公告）日： | 2022-08-23 |
| 发明（设计）人： | 渡嘉敷健 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/311;H01L21/683;H01L21/67;H05H1/46;H01L27/11524 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请案涉及处理半导体装置结构的方法及相关系统。处理半导体装置结构的方法包括：将用于所述半导体装置结构的静电吸盘ESC冷却到‑30℃或更低的温度，所述半导体装置结构包括包含至少一种电介质材料的交替材料层；及利用包括氢基气体及氟基气体的气体的等离子体在所述半导体装置结构中形成开口，其中所述氢基气体占约10vol％与90vol％之间。处理半导体装置结构的其它方法包括：将用于所述半导体装置结构的ESC冷却到‑30℃或更低的温度；将具有非正弦波形的低频射频RF施加到所述ESC；及利用经产生等离子体在所述半导体装置结构中形成开口。一种处理系统包含：ESC；冷却剂系统；及低频RF电源，其产生包括多个正弦波形的组合的非正弦波形。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 半导体 装置 结构 方法 相关 系统 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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