[发明专利]具有厚壳包覆的稳定INP量子点及其制造方法在审
| 申请号： | 201880081128.1 | 申请日： | 2018-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN111492036A | 公开（公告）日： | 2020-08-04 |
| 发明（设计）人： | C·伊彭;I·詹拉普兰特;阚世海;王春明;郭文卓;Y·A·乔;E·R·唐纳 | 申请（专利权）人： | 纳米系统公司 |
| 主分类号： | C09K11/02 | 分类号： | C09K11/02;B82Y20/00;B82Y40/00;C09K11/62;H01L51/50 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 李勇;吕小羽 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明提供了高度发光的纳米结构，特别是高度发光的量子点，其包含纳米晶核以及ZnSe和ZnS的厚壳。所述纳米结构可在ZnSe和ZnS壳之间具有一个或多个梯度的ZnSe |
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| 搜索关键词： | 具有 厚壳包覆 稳定 inp 量子 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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