[发明专利]用于在闪存存储器中编程期间使浮栅到浮栅耦合效应最小化的系统和方法在审
| 申请号： | 201880081371.3 | 申请日： | 2018-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN111492352A | 公开（公告）日： | 2020-08-04 |
| 发明（设计）人： | V·蒂瓦里;N·多;H·V·特兰 | 申请（专利权）人： | 硅存储技术股份有限公司 |
| 主分类号： | G06F12/00 | 分类号： | G06F12/00;G06F12/02 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陈斌 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于非易失性存储器单元阵列的改进的编程技术，其中首先对要用较高编程值进行编程的存储器单元进行编程，其次对要用较低编程值进行编程的存储器单元进行编程。该技术减少或消除了先前编程的单元被正被编程到较高程序级的相邻单元不利地递增编程的数量，并且减少了对大多数存储器单元的不利递增编程的量值，这由浮栅到浮栅耦合引起。该存储器设备包括非易失性存储器单元阵列和控制器，该控制器被配置为：识别与传入数据相关联的编程值；以及执行编程操作，其中该传入数据以时间次序的编程值的下降值被编程到非易失性存储器单元中的至少一些非易失性存储器单元中。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 闪存 存储器 编程 间使 浮栅到浮栅 耦合 效应 最小化 系统 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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