[发明专利]锭块的制造方法、半导体晶片的制造方法及锭块的制造装置有效
| 申请号： | 201880082329.3 | 申请日： | 2018-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN111771018B | 公开（公告）日： | 2022-04-19 |
| 发明（设计）人： | 斋藤康裕 | 申请（专利权）人： | 胜高股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;B28D5/04;C30B33/00;H01L21/304 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 杨戬 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种锭块的制造方法，其切断利用提拉法提拉的单晶硅锭并进行外周磨削，从而制造单晶硅的锭块，该锭块的制造方法执行如下工序：在沿锭的长边方向的1个以上的位置，测量锭的径向中心位置的工序(S2)；设定测量出的锭的径向中心位置的偏离量为规定的偏芯量以下的基准位置的工序(S7)；根据已设定的基准位置，将锭切断成锭块的工序(S8)；及执行已切断的各锭块的外周磨削的工序(S9)。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 方法 半导体 晶片 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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