[发明专利]用于半导体存储器的感测线架构的设备和方法有效
| 申请号： | 201880082461.4 | 申请日： | 2018-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN111512377B | 公开（公告）日： | 2023-08-29 |
| 发明（设计）人： | T·D·罗比斯;C·L·英戈尔斯 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | G11C11/4091 | 分类号： | G11C11/4091;G11C7/06 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了用于半导体存储器的感测线架构的设备和方法。实例设备包含：第一阵列区，其包含多个感测线的第一部分以及耦合到所述多个感测线的所述第一部分的存储器单元；并且进一步包含第二阵列区，其包含多个感测线的第二部分以及耦合到所述多个感测线的所述第二部分的存储器单元。阵列间隙安置在第一和第二阵列区之间并且包含所述多个感测线的第三部分且并不包含任何存储器单元。所述多个感测线的每个第三部分包含具有竖直组件的导电结构，所述竖直组件经配置以耦合所述多个感测线的所述第一部分以及第二部分以提供穿过所述第一和第二阵列区以及所述阵列间隙的电性上连续的感测线。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体 存储器 感测线 架构 设备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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