[发明专利]氮化物半导体元件和氮化物半导体元件的制造方法有效
| 申请号： | 201880084421.3 | 申请日： | 2018-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN111587492B | 公开（公告）日： | 2023-06-13 |
| 发明（设计）人： | 和田贡;希利尔·贝诺 | 申请（专利权）人： | 日机装株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L21/205 |
| 代理公司： | 北京市隆安律师事务所 11323 | 代理人： | 徐谦;刘宁军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种氮化物半导体发光元件(1)，包含：AlN层(22)，其具有规定范围内的晶体质量；以及n型AlGaN，其形成在上述AlN层(22)上，具有规定的Al组分比。另外，AlN层(22)具有与针对(10‑12)面的X射线摇摆曲线的半值宽度为350～520(arcsec)相应的晶体质量作为规定范围内的晶体质量，n型AlGaN具有40％～70％的Al组分比作为规定的Al组分比。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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