[发明专利]磁检测装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201880086933.3 | 申请日： | 2018-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN111630402B | 公开（公告）日： | 2022-08-30 |
| 发明（设计）人： | 斋藤正路 | 申请（专利权）人： | 阿尔卑斯阿尔派株式会社 |
| 主分类号： | G01R33/09 | 分类号： | G01R33/09;H01L43/08;H01L43/10;H01L43/12 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 吴秋明 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 具备具有固定磁化方向(P)和偏置施加方向(F)的关系彼此不同的两个种类的磁阻效应膜(MR1、MR2)的磁检测元件(M1、R2)被设置在同一基板(SB)上的全桥电路(HB)的磁检测装置(100)通过具备阻隔温度(Tb)不同的反铁磁性层的3个种类以上的交换耦合膜(511、512、521、522)设定了固定磁化方向(P)以及偏置施加方向(F)，因此具有强磁场耐性，也容易制造，制造自由度高。 | ||
| 搜索关键词： | 检测 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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