[发明专利]清洁方法、半导体装置的制造方法、基板处理装置以及程序

摘要

具有在处理容器内进行了在基板上形成膜的处理后，向上述处理容器内供给清洁气体将附着在上述处理容器内的堆积物除去的工序；在上述除去堆积物的工序中，依次反复进行：在向上述处理容器内供给上述清洁气体的同时由真空泵进行排气以维持预定的第一压力的第一工序，停止供给上述清洁气体并对上述处理容器内的上述清洁气体和由上述清洁气体引起的反应生成物进行排气的第二工序以及在维持上述处理容器内为比上述第一压力低的第二压力以下的同时对连接上述处理容器和上述真空泵的排气管进行冷却的第三工序；上述第三工序中，在上述排气管的温度达到上述第二温度以下时，不持续进行至达到上述第一温度以下而以预定时间完成上述冷却。