[发明专利]晶片的制造方法在审
| 申请号： | 201880090100.4 | 申请日： | 2018-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN111758152A | 公开（公告）日： | 2020-10-09 |
| 发明（设计）人： | 田中利幸;桥本靖行 | 申请（专利权）人： | 胜高股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;B24B7/04;B24B27/06 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 张泽洲;王玮 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的晶片的制造方法具备第1树脂粘贴磨削工序、第2树脂粘贴磨削工序及第3平面磨削工序，第1树脂粘贴磨削工序具备：第1涂层形成工序，在晶片的整个第二面形成第1涂层；第1平面磨削工序，以第1涂层抵接于工作台的基准面的方式载置晶片并且平面磨削晶片的第一面；以及第1涂层去除工序,去除第1涂层，第2树脂粘贴磨削工序具备：第2涂层形成工序,在整个第一面形成第2涂层；第2平面磨削工序,以第2涂层抵接于工作台的基准面的方式载置晶片并且平面磨削第二面；以及第2涂层去除工序，去除第2涂层，在第3平面磨削工序中，以最后进行平面磨削的面抵接于工作台的基准面的方式载置晶片，并且平面磨削晶片中的与抵接于基准面的面相反的一侧的面。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
