[发明专利]纳米级对准的三维堆叠式集成电路在审
| 申请号： | 201880090163.X | 申请日： | 2018-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN111758156A | 公开（公告）日： | 2020-10-09 |
| 发明（设计）人： | 希德加塔·V·斯林瓦森;帕拉斯·阿杰伊;阿西姆·赛亚尔;奥瓦迪亚·阿贝;马克·麦克德莫特;杰迪普·库尔卡尼;希拉旺·辛格尔 | 申请（专利权）人： | 德克萨斯大学系统董事会 |
| 主分类号： | H01L23/525 | 分类号： | H01L23/525;H01L23/538 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 关越 |
| 地址： | 美国德克萨*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种用于制造三维(3D)堆叠式集成电路的方法。利用取放策略将源晶圆与利用标准二维(2D)半导体制造技术制造的器件层堆叠在一起。源晶圆可以以顺序或平行的方式堆叠。该堆叠可以以面对面、面对背、背对面或背对背的方式进行。可使用硅通孔(TSV)来连接以面对面、背对面或背对背的方式堆叠的源晶圆。或者，可使用层间通孔(ILV)来连接以面对面方式堆叠的源晶圆。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 对准 三维 堆叠 集成电路 | ||
【主权项】：
暂无信息
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