[发明专利]使用边缘堆叠的半导体组合件及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201880090456.8 申请日: 2018-12-03
公开(公告)号: CN111788681A 公开(公告)日: 2020-10-16
发明(设计)人: T·H·金斯利 申请(专利权)人: 美光科技公司
主分类号: H01L25/065 分类号: H01L25/065;H01L23/528;H01L23/522;H01L23/13;H01L23/00
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 王龙
地址: 美国爱*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 本文中揭示使用边缘堆叠的半导体组合件及相关联的系统及方法。在一些实施例中,所述半导体组合件包括经堆叠的半导体封装,所述经堆叠的半导体封装包含:基底衬底,其具有基底表面;侧衬底,其具有正交于所述基底表面的侧表面;及裸片堆叠,其经安置于所述基底表面上方且具有拥有正交于所述侧表面的最外表面的最外裸片。所述侧衬底可经由从所述侧衬底的所述侧表面延伸到所述第一衬底的所述第一表面或所述最外裸片的所述第三表面的多个互连件而电耦合到所述裸片堆叠。所述半导体封装可进一步包括在所述侧衬底的外表面处的导电材料,借此允许所述半导体封装经由所述导电材料电耦合到相邻半导体封装。
搜索关键词: 使用 边缘 堆叠 半导体 组合 及其 制造 方法
【主权项】:
暂无信息
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