[发明专利]半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201880091538.4 | 申请日： | 2018-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN111903020B | 公开（公告）日： | 2022-08-09 |
| 发明（设计）人： | 河原弘幸 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/22 | 分类号： | H01S5/22 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体装置的制造方法。具有：在基材之上形成第1半导体层的工序；在第1半导体层之上形成掩模的工序；使用掩模对第1半导体层进行蚀刻，形成半导体构造的工序；在与半导体构造的侧面接触的区域形成第2半导体层的工序，该第2半导体层具有与掩模接触的凸部；凸部去除工序，供给蚀刻气体而去除凸部；以及再生长层形成工序，在半导体构造及第2半导体层之上供给原料气体而形成再生长层，在同一制造装置内实施凸部去除工序及再生长层形成工序。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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