[发明专利]半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201880091961.4 | 申请日： | 2018-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN111937257B | 公开（公告）日： | 2022-03-04 |
| 发明（设计）人： | 楠政谕;藏本恭介;西田武弘 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/022 | 分类号： | H01S5/022 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 具有以下工序：准备载体；将具有发光条带区域和相邻区域的激光芯片搭载于焊料之上，使该激光芯片位于该第1端面的正上方和该第2端面的正上方；以及使加热后的该焊料在其浸润扩展由于该毛刺而受到限制的同时，在该第1端面或者该第2端面的方向浸润扩展而形成延伸部，该延伸部将该激光芯片与该阻挡层直接连接，该载体具有：载体基板，其具有第1端面和第2端面；电极层，其设置于该载体基板之上；阻挡层，其设置于该电极层之上，在俯视观察时仅达到至该载体基板的端面中的该第1端面或者该第2端面的至少一者；毛刺，其位于该阻挡层的侧面，比该阻挡层高；以及该焊料，其在该阻挡层之上，在俯视观察时从该载体基板的全部端面退后地设置。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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