[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201880092525.9 | 申请日： | 2018-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN112005379A | 公开（公告）日： | 2020-11-27 |
| 发明（设计）人： | 丸井俊治;林哲也;沼仓启一郎;倪威;田中亮太;竹本圭佑 | 申请（专利权）人： | 日产自动车株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/336;H01L29/78;H01L29/861;H01L29/868 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张劲松 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 具备：第一导电型的漂移区域(21)，其具有接触部(211)以及沿着基板的主面延伸的延伸部(212)；第二导电型的列区域(22)，其沿着与延伸部(212)的延伸方向垂直的方向与延伸部(212)交替配置，一端部与接触部(211)连接；第二导电型的阱区域(23)，其分别与列区域(22)的另一端部以及延伸部(212)的前端连接；电场缓和电极(30)，其经由绝缘膜(60)配置在除了形成于延伸部(212)和列区域(22)之间的界面上的电压保持pn结部以外的剩余的pn结部的至少一部分的上方。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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