[发明专利]形成具有亚微米级特征的大面积模具母版的晶圆拼接方法在审
| 申请号： | 201880094333.1 | 申请日： | 2018-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN112272800A | 公开（公告）日： | 2021-01-26 |
| 发明（设计）人： | Z.彭;S.沃;E.索伊奇 | 申请（专利权）人： | 镭亚股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F9/00 | 分类号： | G03F9/00;G03F7/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张晓明 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了一种形成大面积纳米压印模具母版的方法。该方法包括在刚性平面基板上定位多个子母版拼接片。多个子母版拼接片中的每个子母版拼接片均具有纳米级图案，并且代表大面积纳米压印模具母版的子部分。所述方法还包括将所述多个子母版拼接片粘附到刚性平面基板上。该定位确定在一对相邻的子母版拼接片中的每个子母版拼接片上的纳米级图案的纳米级特征之间的距离。该距离具有微米级定位公差。还提供了大面积纳米压印模具母版和大面积纳米压印光刻的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 具有 微米 特征 大面积 模具 母版 拼接 方法 | ||
【主权项】：
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