[发明专利]半导体集成电路装置及电平位移电路在审

专利信息
申请号: 201880094387.8 申请日: 2018-06-19
公开(公告)号: CN112243569A 公开(公告)日: 2021-01-19
发明(设计)人: 饭田真久;袛园雅弘 申请(专利权)人: 株式会社索思未来
主分类号: H03K19/0185 分类号: H03K19/0185;H03K19/003;H03K19/0175
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 柯瑞京
地址: 日本神*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明提供一种半导体集成电路装置及电平位移电路。半导体集成电路装置(100)包括设在第一电源(VDD1)与输出端子(1)之间的第一、第二晶体管(11、12)、从第一电源(VDD1)生成第二电源(VBIAS)的降压电路、将第二电源(VBIAS)和第三电源(VDD3)中的高电位作为第四电源(VINT)输出的电源开关电路(3)以及在第一电源(VDD1)与第四电源(VINT)之间发生位移的电平位移电路(4)。第一晶体管(11)的栅极与电平位移电路(4)的输出相连,第二晶体管(12)的栅极与第四电源(VINT)相连。
搜索关键词: 半导体 集成电路 装置 电平 位移 电路
【主权项】:
暂无信息
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