[发明专利]半导体装置在审
申请号: | 201880096310.4 | 申请日: | 2018-08-08 |
公开(公告)号: | CN112534571A | 公开(公告)日: | 2021-03-19 |
发明(设计)人: | 大宅大介;林田幸昌;本宫哲男 | 申请(专利权)人: | 三菱电机株式会社 |
主分类号: | H01L23/04 | 分类号: | H01L23/04;H01L25/07;H01L25/18 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 何立波;张天舒 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 特征在于,具有:第1电极;第2电极;树脂壳体,其包围该第1电极和该第2电极;以及树脂绝缘部,其在该树脂壳体的内侧覆盖该第1电极的一部分和该第2电极的一部分,该树脂绝缘部的材料与该树脂壳体相同。该树脂绝缘部与该树脂壳体的内壁接触或与该树脂壳体的内壁分离。通过在该树脂绝缘部形成有位于该第1电极和该第2电极之间的槽,从而对该第1电极和该第2电极之间提供了没有该树脂绝缘部的空间或与该树脂绝缘部不同的物质。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
【主权项】:
暂无信息
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