[其他]薄膜ESD保护器件有效
申请号: | 201890000191.3 | 申请日: | 2018-01-12 |
公开(公告)号: | CN209104139U | 公开(公告)日: | 2019-07-12 |
发明(设计)人: | 深堀奏子 | 申请(专利权)人: | 株式会社村田制作所 |
主分类号: | H01L21/822 | 分类号: | H01L21/822;H01L21/3205;H01L21/768;H01L23/522;H01L27/04 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 李洋;张丰桥 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本实用新型提供薄膜ESD保护器件(101),具备:具有第1主面(PS1)和第2主面(PS2)的半导体基板(21)、形成于第1主面(PS1)的第1绝缘层(TL1)、形成于第2主面(PS2)的第2绝缘层(TL2)、第1输入输出电极(P1)、第2输入输出电极(P2)、接地电极(GP1、GP2)、二极管元件(D1)、电容器元件(C1)、和电感器元件(L1)。电容器元件(C1)和二极管元件(D1)形成于第1主面(PS1)侧,电感器元件(L1)形成于第2主面侧。电感器元件(L1)经由从第1主面(PS1)贯通至第2主面(PS2)的第1导通导体(TSV1)和第2导通导体(TSV2)而与第1输入输出电极(P1)和第2输入输出电极(P2)分别连接。 | ||
搜索关键词: | 主面 输入输出电极 电感器元件 绝缘层 电容器元件 二极管元件 导体 导通 薄膜 半导体基板 本实用新型 接地电极 贯通 | ||
【主权项】:
1.一种薄膜ESD保护器件,其特征在于,具备:半导体基板,具有相互对置的第1主面和第2主面;第1绝缘层,形成于所述第1主面;第1输入输出电极、第2输入输出电极和接地电极,形成于所述第1绝缘层的表面;二极管元件,形成于所述半导体基板的所述第1主面侧,具有与所述第1输入输出电极电连接的第1端和与所述接地电极电连接的第2端;电容器元件,形成于所述半导体基板的所述第1主面侧,具有与所述第2输入输出电极电连接的第3端和与所述接地电极电连接的第4端;和电感器元件,形成于所述半导体基板的所述第2主面侧,具有第5端和第6端,所述电感器元件的所述第5端经由从所述半导体基板的所述第1主面贯通至所述第2主面的第1导通导体而与所述第1输入输出电极电连接,所述电感器元件的所述第6端经由从所述半导体基板的所述第1主面贯通至所述第2主面的第2导通导体而与所述第2输入输出电极电连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造