[发明专利]快闪存储器及其形成方法有效
| 申请号： | 201910001630.3 | 申请日： | 2019-01-02 |
| 公开（公告）号： | CN109742076B | 公开（公告）日： | 2020-12-08 |
| 发明（设计）人： | 于涛;李冰寒 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11521 | 分类号： | H01L27/11521 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种快闪存储器及其形成方法，快闪存储器包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括源线区和浮栅区，所述浮栅区与源线区邻接且位于源线区两侧；位于所述半导体衬底源线区内的源区；位于所述源区上的源线层，所述源线层与源区电连接；分别位于半导体衬底的浮栅区上的浮栅极结构，所述浮栅极结构的高度大于源线层的高度；位于源线层上的擦除栅极结构。所述快闪存储器的性能得到提高。 | ||
| 搜索关键词： | 闪存 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种快闪存储器，其特征在于，包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括源线区和浮栅区，所述浮栅区与源线区邻接且位于源线区两侧；位于所述半导体衬底源线区内的源区；位于所述源区上的源线层，所述源线层与源区电连接；分别位于半导体衬底的浮栅区上的浮栅极结构，所述浮栅极结构的高度大于源线层的高度；位于源线层上的擦除栅极结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
