[发明专利]存储器及其形成方法有效
| 申请号： | 201910002295.9 | 申请日： | 2019-01-02 |
| 公开（公告）号： | CN109742081B | 公开（公告）日： | 2021-09-21 |
| 发明（设计）人： | 刘毅华;刘峻;范鲁明 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/1157 | 分类号： | H01L27/1157;H01L27/11582 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 董琳 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种存储器及其形成方法，所述存储器的形成方法包括：提供一存储基底，所述存储基底包括衬底、形成于所述衬底正面的存储堆叠结构，所述存储堆叠结构内形成有贯穿所述存储堆叠结构至衬底表面的沟道柱结构和隔离墙，所述隔离墙底部的衬底内形成有共源极掺杂区；对所述衬底背面进行减薄；在所述减薄后的衬底背面形成介质层；刻蚀所述介质层，形成开口，所述开口暴露出所述衬底内的共源极掺杂区；在所述开口内填充导电层，连接所述共源极掺杂区，所述导电层作为共源极接触部。上述方法有利于提高存储器的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种存储器的形成方法，其特征在于，包括：提供一存储基底，所述存储基底包括衬底、形成于所述衬底正面的存储堆叠结构，所述存储堆叠结构内形成有贯穿所述存储堆叠结构至衬底表面的沟道柱结构和隔离墙，所述隔离墙底部的衬底内形成有共源极掺杂区；对所述衬底背面进行减薄；在所述减薄后的衬底背面形成介质层；刻蚀所述介质层，形成开口，所述开口暴露出所述衬底内的共源极掺杂区；在所述开口内填充导电层，连接所述共源极掺杂区，所述导电层作为共源极接触部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
