[发明专利]沟槽刻蚀加工工艺及二极管的生产方法在审
| 申请号： | 201910003957.4 | 申请日： | 2019-01-03 |
| 公开（公告）号： | CN109727861A | 公开（公告）日： | 2019-05-07 |
| 发明（设计）人： | 刘云燕;李昊阳;李广德;王鹏飞;王仁东;李书涛;魏功祥 | 申请（专利权）人： | 山东理工大学 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329;H01L21/304;H01L21/306 |
| 代理公司： | 淄博启智达知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 37280 | 代理人： | 袭娜;王燕 |
| 地址： | 255086 山东省淄*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于二极管生产领域，具体涉及一种沟槽刻蚀加工工艺及二极管的生产方法。用开沟机开沟，然后漂洗，一次烘干后再用混酸腐蚀，混酸为硝酸、氢氟酸、醋酸和硫酸的混合物，混酸腐蚀的时间为1.8‑2.2分钟，水洗后二次烘干。开沟为开V型槽，开沟深度为：135‑140μm，V型槽顶部开口的宽度为：250‑300μm。本发明完全不需要光刻工艺就能完成晶片的沟槽刻蚀，避免了繁琐的黄光过程，无需使用昂贵的光刻胶和光刻设备，采用简单的工艺和较短的时间完成晶片的沟槽刻蚀，极大的提高效率，良品率高，节约时间和能源，保护环境，本发明还提供一种二极管的生产方法，制备的二极管性能优异。 | ||
| 搜索关键词： | 二极管 沟槽刻蚀 开沟 混酸腐蚀 完成晶片 醋酸 二次烘干 光刻工艺 光刻设备 一次烘干 开V型槽 光刻胶 混合物 开沟机 良品率 氢氟酸 漂洗 硝酸 黄光 混酸 硫酸 生产 制备 开口 节约 能源 | ||
【主权项】：
1.一种沟槽刻蚀加工工艺，其特征在于：用开沟机开沟，然后漂洗，一次烘干后再用混酸腐蚀，混酸为硝酸、氢氟酸、醋酸和硫酸的混合物，混酸腐蚀的时间为1.8‑2.2分钟，水洗后二次烘干。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
