[发明专利]一种薄膜晶体管及其制作方法、显示面板在审
申请号: | 201910004119.9 | 申请日: | 2019-01-03 |
公开(公告)号: | CN109712931A | 公开(公告)日: | 2019-05-03 |
发明(设计)人: | 常新园;莫再隆;周刚;唐菲;赵晓东 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L21/336;H01L27/12;H01L29/786;G03F7/20 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明实施例提供一种薄膜晶体管及其制作方法、显示面板,涉及薄膜晶体管制造技术领域,能够解决现有技术中在制作源漏层时由于使用干法刻蚀工艺而引入大量杂质或瑕疵,从而导致产品良率较低的问题。所述薄膜晶体管包括:在第一绝缘层上形成平坦层;在平坦层上制作无机绝缘薄膜;在无机绝缘薄膜上涂覆光刻胶,进行曝光和显影,并采用干法刻蚀工艺刻蚀无机绝缘薄膜,以形成层间介质层图案;层间介质层图案包含有用于连接有源层图案的过孔和用于形成导电走线的线槽;剥离掉无机绝缘薄膜上的光刻胶;形成覆盖层间介质层图案的导电薄膜;采用研磨工艺研磨导电薄膜,以形成源极、漏极和导电走线。本发明用于显示装置。 | ||
搜索关键词: | 无机绝缘薄膜 薄膜晶体管 干法刻蚀工艺 介质层图案 导电薄膜 导电走线 显示面板 研磨 光刻胶 平坦层 制作 绝缘层 薄膜晶体管制造 图案 层间介质层 产品良率 显示装置 覆盖层 制作源 刻蚀 漏层 漏极 涂覆 显影 线槽 源层 源极 瑕疵 剥离 曝光 引入 | ||
【主权项】:
1.一种薄膜晶体管的制作方法,其特征在于,包括:在第一绝缘层上形成平坦层;在所述平坦层上制作无机绝缘薄膜;在所述无机绝缘薄膜上涂覆光刻胶,进行曝光和显影,并采用干法刻蚀工艺刻蚀所述无机绝缘薄膜,以形成层间介质层图案;所述层间介质层图案包含有用于连接有源层图案的过孔和用于形成导电走线的线槽;剥离掉所述无机绝缘薄膜上的光刻胶;形成覆盖所述层间介质层图案的导电薄膜;采用研磨工艺研磨所述导电薄膜,以形成源极、漏极和导电走线。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910004119.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:显示基板及其制作方法、显示装置
- 下一篇:可挠式阵列基板及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造