[发明专利]半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201910005235.2 | 申请日： | 2019-01-03 |
| 公开（公告）号： | CN110416067B | 公开（公告）日： | 2021-09-17 |
| 发明（设计）人： | 黄玉莲 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/308;H01L21/3065;H01L21/306 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体装置及其制造方法。半导体装置的制造方法包括形成一第一掩模层于一目标层上；形成一第二掩模层于第一掩模层上；图案化第二掩模层；形成一第三掩模层于图案化的第二掩模层上；图案化第三掩模层；利用图案化的第二掩模层及图案化的第三掩模层作为蚀刻掩模组合来蚀刻第一掩模层；去除图案化的第三掩模层以露出一部分的第一掩模层；对第一掩模层的露出部分上进行修整制程；以及利用第一掩模层来蚀刻目标层，以在目标层内形成开口。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的制造方法，包括：形成一第一掩模层于一目标层上；形成一第二掩模层于该第一掩模层上；图案化该第二掩模层；形成一第三掩模层于该图案化的第二掩模层上；图案化该第三掩模层；利用该图案化的第二掩模层及该图案化的第三掩模层作为一蚀刻掩模组合来蚀刻该第一掩模层；去除该图案化的第三掩模层，以露出一部分的该第一掩模层；对该第一掩模层的该露出部分进行一修整制程；以及利用该第一掩模层来蚀刻该目标层，以形成多个开口于该目标层内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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