[发明专利]一种测试基板及其制作方法、测试方法有效
| 申请号： | 201910005365.6 | 申请日： | 2019-01-03 |
| 公开（公告）号： | CN109742037B | 公开（公告）日： | 2021-01-26 |
| 发明（设计）人： | 范磊;包征 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/77;H01L27/12;H01L27/32;G02F1/1362;G02F1/1368;G09G3/00 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 贾莹 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请实施例提供一种测试基板及其制作方法、测试方法，涉及显示技术领域，用于解决在显示电路的电学测试中，显示周边区域的测试单元的电学性能无法真实反映显示区中电路的电学特征的问题。测试基板制作方法，包括：在一显示基板上确定待测试的至少一个目标TFT；在显示基板上划分出至少一个测试区，每个目标薄膜晶体管位于一个测试区内；对测试区进行构图工艺，以形成至少一个测试孔；每个测试孔的底部暴露出目标薄膜晶体管的源极、漏极或栅极；在每个测试孔内形成测试管脚，测试管脚与目标薄膜晶体管的源极、漏极或栅极耦接。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 测试 及其 制作方法 方法 | ||
【主权项】：
1.一种测试基板制作方法，其特征在于，所述方法包括：在一显示基板上确定待测试的至少一个目标薄膜晶体管；在所述显示基板上划分出至少一个测试区，每个所述目标薄膜晶体管位于一个所述测试区内；对所述测试区进行构图工艺，以形成至少一个测试孔；每个所述测试孔的底部暴露出所述目标薄膜晶体管的源极、漏极或栅极；在每个所述测试孔内形成测试管脚，所述测试管脚与所述目标薄膜晶体管的源极、漏极或栅极耦接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司，未经京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910005365.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
