[发明专利]半导体存储装置有效
| 申请号： | 201910007836.7 | 申请日： | 2019-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN110931060B | 公开（公告）日： | 2023-10-27 |
| 发明（设计）人： | 原浩幸 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C7/18 | 分类号： | G11C7/18;G11C8/14;H01L23/528 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 杨林勳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 实施方式提供一种半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备：第1单元配线层，在第1方向上延伸的第1单元配线在第2方向上多条排列设置而成；第2单元配线层，在第2方向上延伸的第2单元配线在第1方向上多条排列设置而成，且与多个第1单元配线层交替积层；单元阵列，具有形成在第1单元配线层与第2单元配线层的交叉部分的多个存储单元；第1接点，在接线区域连接于奇数层的第1单元配线；第2接点，在接线区域连接于偶数层的第1单元配线；配线层，与第1接点连接的第1连接配线和与第2接点连接的第2连接配线彼此分离地设置于同一层而成；第1驱动电路，与第1连接配线电连接；以及第2驱动电路，与第2连接配线电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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