[发明专利]一种在金属电极侧向包覆高反射膜提高光效的方法

摘要

本发明涉及LED技术领域，具体涉及一种在金属电极侧向包覆高反射膜提高光效的方法，该方法的工艺流程包括MSA、CBL、TCL、PAD、NDBR、PSV，具体步骤为1）MSA：在GAN上定义出LED芯片图形大小；2）CBL：沉积一层SiO2电流阻挡层；3）TCL：再沉积一层导电层；4）PAD：在镀上金属电极用于导电作业；5）NDBR：在金属电极侧面镀上一层高反射DBR层；6）PSV：最后镀上一层SiO2，作为芯片保护层，本发明打破常规思路，通过在金属电极侧面镀上一层高反射DBR层，增加了侧向光于金属电极上的反射，进而实现光效的最大化；且本发明的制备工艺简单，满足了LED芯片的制作要求，可在实际的工业生产中进行推广应用。