[发明专利]光配向掩膜版修复方法在审
| 申请号： | 201910010959.6 | 申请日： | 2019-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN109471328A | 公开（公告）日： | 2019-03-15 |
| 发明（设计）人： | 戴明鑫;李林;刘聪聪;陈林;杨俊 | 申请（专利权）人： | 成都中电熊猫显示科技有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/72 | 分类号： | G03F1/72 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 李小波;刘芳 |
| 地址： | 610200 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种光配向掩膜版修复方法，涉及半导体技术领域，用于对损伤后的掩膜版进行修补。其中，本发明实施例提供的光配向掩膜版修复方法，包括：先对待修复掩膜版的损伤位置涂抹第一遮光色阻，然后，在预设温度环境中对所述待修复掩膜版进行加热，最后，对所述待修复掩膜版进行清洗，以形成修复后掩膜版。 | ||
| 搜索关键词： | 掩膜版 修复 配向 半导体技术领域 损伤位置 温度环境 色阻 预设 遮光 加热 涂抹 修补 清洗 损伤 | ||
【主权项】：
1.一种光配向掩膜版修复方法，其特征在于，包括：对待修复掩膜版的损伤位置涂抹第一遮光色阻；在预设温度环境中对所述待修复掩膜版进行加热；对所述待修复掩膜版进行清洗，以形成修复后掩膜版。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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