[发明专利]一种降低8英寸硅抛光片表面粗糙度的抛光工艺在审
| 申请号： | 201910015754.7 | 申请日： | 2019-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN109500663A | 公开（公告）日： | 2019-03-22 |
| 发明（设计）人： | 石明;王广勇;吴镐硕;刘秒;吕莹;徐荣清 | 申请（专利权）人： | 天津中环领先材料技术有限公司 |
| 主分类号： | B24B1/00 | 分类号： | B24B1/00;B24B53/00 |
| 代理公司： | 天津滨海科纬知识产权代理有限公司 12211 | 代理人： | 刘莹 |
| 地址： | 300384 天津市滨海新区*** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种降低8英寸硅抛光片表面粗糙度的抛光工艺，其抛光工艺包括如下步骤：对硅化腐片进行涂蜡操作，得到涂蜡硅片；对涂蜡硅片按照粗抛光、第一次精抛光、第二次精抛光的顺序进行抛光，得到抛光硅片；对抛光硅片进行去蜡清洗，得到硅抛光片。本发明克服现有技术的不足，降低抛光片表面粗糙度，粗糙度可降低到0.0001um以下。 | ||
| 搜索关键词： | 硅抛光片 抛光工艺 涂蜡 表面粗糙度 抛光硅片 粗糙度 精抛光 硅片 抛光片表面 粗抛光 抛光 硅化 清洗 | ||
【主权项】：
1.一种降低8英寸硅抛光片表面粗糙度的抛光工艺，其特征在于：包括如下步骤：步骤1：对硅化腐片进行涂蜡操作，得到涂蜡硅片；步骤2：对涂蜡硅片按照粗抛光、第一次精抛光、第二次精抛光的顺序进行抛光，得到抛光硅片；步骤3：对抛光硅片进行去蜡清洗，得到硅抛光片。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津中环领先材料技术有限公司，未经天津中环领先材料技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910015754.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
