[发明专利]光掩膜以及光刻光学式叠对标记测量方法

摘要

本发明提供一种光掩膜及光刻光学式叠对标记测量方法，用于测量芯片制造过程中不同层之间的叠对偏移量，所述光掩膜包括：斜向单元掩膜图案和斜向叠对掩膜标记，所述斜向单元掩膜图案和所述斜向叠对掩膜标记具有相同的斜向方向。采用所述光掩膜将所述斜向单元掩膜图案和所述斜向叠对掩膜标记刻录到半导体衬底上，在所述半导体衬底上形成斜向单元图案和斜向叠对标记。采用光学方法量测所述半导体衬底上当前层的所述斜向叠对标记相对于先前层的所述斜向叠对标记的叠对偏移量；以及根据所述叠对偏移量将所述当前层与所述先前层对准。根据本发明的光掩膜及光刻光学式叠对标记测量方法，能够对应测量半导体衬底中斜向单元图案的叠对偏移量。