[发明专利]一种纳米图案的拼接方法、纳米压印板、光栅及制作方法在审
申请号: | 201910023266.0 | 申请日: | 2019-01-10 |
公开(公告)号: | CN109683445A | 公开(公告)日: | 2019-04-26 |
发明(设计)人: | 董立文;张笑;贺芳;谢昌翰 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | G03F7/00 | 分类号: | G03F7/00;G02B5/18 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静;贾玉 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供一种纳米图案的拼接方法、纳米压印板、光栅及制作方法,涉及显示技术领域。纳米图案的拼接方法包括:压印区域界定步骤:在形成有第一膜层的衬底基板上形成第二膜层,对第二膜层进行构图,形成区域界定图案;压印图案形成步骤:形成压印胶层,对待压印区域和与待压印区域邻接的部分其他区域进行纳米压印,形成压印图案;刻蚀步骤:以压印图案为掩膜,对待压印区域的第一膜层进行刻蚀,形成纳米图案;去除步骤:采用刻蚀工艺,去除区域界定图案;拼接步骤:重复执行压印区域界定步骤、压印图案形成步骤、刻蚀步骤和去除步骤,形成拼接的第一纳米图案。从而,能形成精度高的纳米图案,制作出大尺寸的纳米图案,成本低廉,制作效率高。 | ||
搜索关键词: | 纳米图案 压印区域 拼接 压印图案 去除 第一膜层 刻蚀步骤 区域界定 光栅 压印板 界定 膜层 制作 图案 衬底基板 刻蚀工艺 纳米压印 重复执行 压印胶 邻接 刻蚀 掩膜 | ||
【主权项】:
1.一种纳米图案的拼接方法,其特征在于,包括:压印区域界定步骤:在形成有第一膜层的衬底基板上形成第二膜层,对所述第二膜层进行构图,形成区域界定图案,其中,所述衬底基板上的未被所述区域界定图案覆盖的区域为待压印区域,被所述区域界定图案覆盖的区域为其他区域;压印图案形成步骤:在所述衬底基板上形成压印胶层,采用压印母板对所述待压印区域和与所述待压印区域邻接的部分所述其他区域进行纳米压印,形成压印图案;刻蚀步骤:以所述压印图案为掩膜,对所述待压印区域的所述第一膜层进行刻蚀,形成纳米图案;去除步骤:采用刻蚀工艺,去除所述区域界定图案;拼接步骤:重复执行所述压印区域界定步骤、所述压印图案形成步骤、所述刻蚀步骤和所述去除步骤,形成拼接的第一纳米图案。
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