[发明专利]基于低压器件的高压高速IO电路有效
| 申请号： | 201910023848.9 | 申请日： | 2019-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN109787607B | 公开（公告）日： | 2023-05-26 |
| 发明（设计）人： | 请求不公布姓名 | 申请（专利权）人： | 苏州睿晟芯微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/003 | 分类号： | H03K19/003;H03K19/0185 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 王锋 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市苏州工*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于低压器件的高压高速IO电路，所述IO电路包括：第一PMOS管和第二PMOS管，串联设置于电路电源电压VCC和IO接口之间，第一PMOS管用于控制电路电源电压VCC到IO接口之间通路的打开和关断，第二PMOS管用于对第一PMOS管进行电压过载保护；第一NMOS管和第二NMOS管，串联设置于第二PMOS管和电路地电位VSS之间，第一NMOS管用于接收第一低压差分输入信号IN‑，第二NMOS管用于对第一NMOS管进行电压过载保护；第三NMOS管和第四NMOS管，串联设置于第一PMOS管和电路地电位VSS之间，第三NMOS管用于接收第二低压差分输入信号IN+，第四NMOS管用于对第三NMOS管进行电压过载保护。本发明的IO电路具有结构简单、易于集成、灵活适应性、自我静电防护等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 低压 器件 高压 高速 io 电路 | ||
【主权项】：
1.一种基于低压器件的高压高速IO电路，其特征在于，所述IO电路包括：第一PMOS管和第二PMOS管，串联设置于电路电源电压VCC和IO接口之间，第一PMOS管用于控制电路电源电压VCC到IO接口之间通路的打开和关断，第二PMOS管用于对第一PMOS管进行电压过载保护；第一NMOS管和第二NMOS管，串联设置于第二PMOS管和电路地电位VSS之间，其中，第一NMOS管和电路地电位VSS相连，第二NMOS管和第二PMOS管相连，第一NMOS管用于接收第一低压差分输入信号IN‑，第二NMOS管用于对第一NMOS管进行电压过载保护；第三NMOS管和第四NMOS管，串联设置于第一PMOS管和电路地电位VSS之间，其中，第三NMOS管和电路地电位VSS相连，第四NMOS管和第一PMOS管相连，第三NMOS管用于接收第二低压差分输入信号IN+，第四NMOS管用于对第三NMOS管进行电压过载保护。
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