[发明专利]一种锡掺杂提高低温烧结铌三铝临界电流密度的方法

摘要

本发明提出一种锡掺杂提高低温烧结铌三铝临界电流密度的方法。将纯Nb粉、纯Al粉和纯Sn粉按原子比例Nb₃(Al_1‑xSn_x)称量，x为0.10～0.35，混合倒入球磨罐中；磨球和混合粉末质量比9～11:1，球磨罐密封；球磨罐装载在球磨机上，转速为350～450rad/min球磨，得到Nb‑Al‑Sn预合金粉末；将预合金粉末压片并真空封入石英管中，将石英管进行烧结，烧结温度800～900℃，烧结完成后随炉冷却得到掺杂Sn的Nb₃Al超导体。本发明得到超导体其临界电流密度J_c在1.6×10⁴A·cm^‑2～1.6×10⁵A·cm^‑2(4.2K，5T)之间，比未掺杂Nb₃Al提高1～2个数量级。

主权项

1.一种锡掺杂提高低温烧结铌三铝临界电流密度的方法，其特征是包括以下步骤：(1)将纯Nb粉、纯Al粉和纯Sn粉按原子比例Nb₃(Al_1‑xSn_x)称量好，x值为0.10～0.35，混合均匀后倒入球磨罐中；(2)按照磨球和步骤(1)中称量的混合粉末质量比9:1～11:1称取相应的磨球，倒入球磨罐并将密封；(3)将球磨罐装载在球磨机上，转速为350～450rad/min球磨，得到Nb‑Al‑Sn预合金粉末；(4)将得到的预合金粉末压片并真空封入石英管中，将封好的石英管进行烧结，烧结温度800～900℃，烧结完成后随炉冷却得到掺杂Sn的Nb₃Al超导体。