[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法及薄膜晶体管面板以及电子器件在审
| 申请号： | 201910025963.X | 申请日： | 2019-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN110556428A | 公开（公告）日： | 2019-12-10 |
| 发明（设计）人： | 金周永;宋炳权;朴正一;郑知永 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;H01L51/05;H01L51/40;H01L27/12;H01L27/28 |
| 代理公司： | 11105 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了一种薄膜晶体管，其包括栅电极、与栅电极重叠的半导体层、在栅电极与半导体层之间的栅极绝缘层、以及电连接到半导体层的源电极和漏电极。半导体层包括多个孔。栅极绝缘层可以包括多个凹陷部分，所述多个凹陷部分在栅极绝缘层的面对半导体层的表面处。还提供了制造该薄膜晶体管的方法。还提供了可包括该薄膜晶体管的薄膜晶体管阵列面板和电子器件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体层 薄膜晶体管 栅极绝缘层 栅电极 凹陷 薄膜晶体管阵列面板 电子器件 表面处 电连接 漏电极 源电极 制造 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，包括：/n栅电极，/n与所述栅电极重叠的半导体层，所述半导体层包括多个孔，/n在所述栅电极与所述半导体层之间的栅极绝缘层，所述栅极绝缘层包括多个凹陷部分，所述多个凹陷部分在所述栅极绝缘层的面对所述半导体层的表面处，以及/n电连接到所述半导体层的源电极和漏电极。/n
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