[发明专利]包括器件隔离层的半导体装置在审
| 申请号： | 201910026981.X | 申请日： | 2019-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN110504262A | 公开（公告）日： | 2019-11-26 |
| 发明（设计）人： | 张世明;安濬爀;金奉秀;朴晓斌;沈明燮 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/088 | 分类号： | H01L27/088 |
| 代理公司： | 11286 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张逍遥;尹淑梅<国际申请>=<国际公布> |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了包括器件隔离层的半导体装置。所述半导体装置包括：基底，具有单元区域和核心/外围区域；第一有源区，位于基底的单元区域中；第一器件隔离层，限定第一有源区；第二有源区，位于基底的核心/外围区域中；以及第二器件隔离层，限定第二有源区。在与基底的下表面垂直的第一方向上从基底的下表面到第一器件隔离层的上端的高度小于或等于在第一方向上从基底的下表面到第一有源区的上端的高度。 | ||
| 搜索关键词： | 基底 源区 器件隔离层 下表面 半导体装置 单元区域 外围区域 上端 垂直的 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：/n基底，具有单元区域和核心/外围区域；/n第一有源区，位于基底的单元区域中；/n第一器件隔离层，限定第一有源区；/n第二有源区，位于基底的核心/外围区域中；以及/n第二器件隔离层，限定第二有源区，/n其中，第二器件隔离层包括：第一绝缘膜，与第二有源区接触；以及第二绝缘膜，与第一绝缘膜接触，并与第二有源区间隔开，/n在与基底的下表面垂直的第一方向上从基底的下表面到第一器件隔离层的上端的高度小于或等于在第一方向上从基底的下表面到第一有源区的上端的高度，并且/n在第一方向上从基底的下表面到第二器件隔离层的上端的高度大于在第一方向上从基底的下表面到第二有源区的上端的高度。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
