[发明专利]用于处理衬底的设备有效
| 申请号： | 201910031389.9 | 申请日： | 2019-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN110047779B | 公开（公告）日： | 2023-09-19 |
| 发明（设计）人： | 徐钟锡 | 申请（专利权）人： | 细美事有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;G03F7/16 |
| 代理公司： | 北京市中伦律师事务所 11410 | 代理人： | 杨黎峰;钟锦舜 |
| 地址： | 韩国忠*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了一种用于处理衬底的设备。该设备包括：腔室，该腔室中具有处理空间；衬底支撑单元，该衬底支撑单元用于在处理空间中支撑衬底；以及加热器单元，该加热器单元用于加热由衬底支撑单元支撑的衬底。衬底支撑单元包括：支撑板，该支撑板具有支持面；支撑突出部，该支撑突出部被设置为从支撑板突出并直接支撑衬底；以及传感器，该传感器设置于支撑突出部以测量衬底的温度。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 处理 衬底 设备 | ||
【主权项】：
1.一种用于处理衬底的设备，所述设备包括：腔室，在所述腔室中具有处理空间；衬底支撑单元，所述衬底支撑单元用于在所述处理空间中支撑衬底；以及加热器单元，所述加热器单元用于加热由所述衬底支撑单元支撑的所述衬底，其中，所述衬底支撑单元包括：支撑板，所述支撑板具有支持面；支撑突出部，所述支撑突出部设置为从所述支撑板突出并直接支撑所述衬底；以及传感器，所述传感器设置于所述支撑突出部以测量所述衬底的温度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
