[发明专利]3D NAND存储器位线的电阻测试方法在审
| 申请号： | 201910038841.4 | 申请日： | 2019-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN109767807A | 公开（公告）日： | 2019-05-17 |
| 发明（设计）人： | 汤光敏;张顺勇 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G11C29/50 | 分类号： | G11C29/50;G11C29/12 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 董琳;高德志 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 一种3D NAND存储器位线的电阻测试方法，包括：提供失效晶圆，所述失效晶圆包括衬底和位于衬底正面上的3D NAND存储器，所述3D NAND存储器包括若干位线和与每个位线相应连接的若干金属插塞；选取多根位线作为目标位线，将多根目标位线通过金属线路连接；从衬底的背面平坦化所述衬底，直至暴露所述与目标位线连接的金属插塞；对目标位线所对应的金属插塞进行测试，获得目标位线的电阻值。本发明的测试方法可以减小3D NAND存储器位线电阻的测试难度，并且能保证测试的精度。 | ||
| 搜索关键词： | 目标位 位线 金属插塞 衬底 电阻测试 测试 晶圆 测试难度 衬底正面 金属线路 位线电阻 平坦化 线连接 电阻 减小 背面 暴露 保证 | ||
【主权项】：
1.一种3D NAND存储器位线的电阻测试方法，其特征在于，包括：提供失效晶圆，所述失效晶圆包括衬底和位于衬底正面上的3D NAND存储器，所述3D NAND存储器包括若干位线和与每个位线相应连接的若干金属插塞；选取多根位线作为目标位线，将多根目标位线通过金属线路连接；从衬底的背面平坦化所述衬底，直至暴露所述与目标位线连接的金属插塞；对目标位线所对应的金属插塞进行测试，获得目标位线的电阻值。
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