[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201910039205.3 | 申请日： | 2019-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN110190109A | 公开（公告）日： | 2019-08-30 |
| 发明（设计）人： | 金真范;金亨燮;崔成钦;金镇用;朴台镇;李承勋 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社;成均馆大学研究与商业基金会 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人： | 李娜 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括：栅电极，在衬底上沿第一方向延伸；第一有源图案，在衬底上沿与第一方向交叉的第二方向延伸以穿透栅电极，第一有源图案包括锗；外延图案，位于栅电极的侧壁上；第一半导体氧化物层，位于第一有源图案与栅电极之间，并且通过第一半导体材料的氧化而形成；以及第二半导体氧化物层，位于栅电极与外延图案之间，并且通过第二半导体材料的氧化而形成。第一半导体材料的锗的浓度可以小于第一有源图案的锗的浓度，并且第一半导体材料的锗的浓度可以与第二半导体材料的锗的浓度不同。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体材料 栅电极 源图案 半导体器件 半导体氧化物层 方向延伸 衬底 图案 方向交叉 侧壁 穿透 制造 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，所述半导体器件包括：栅电极，所述栅电极在衬底上沿第一方向延伸；第一有源图案，所述第一有源图案在所述衬底上沿与所述第一方向交叉的第二方向延伸以穿过所述栅电极，所述第一有源图案包括锗；外延图案，所述外延图案位于所述栅电极的侧壁上；第一半导体氧化物层，所述第一半导体氧化物层位于所述第一有源图案与所述栅电极之间，并且通过第一半导体材料的氧化而形成；以及第二半导体氧化物层，所述第二半导体氧化物层位于所述栅电极与所述外延图案之间，并且通过第二半导体材料的氧化而形成，其中，所述第一半导体材料的锗的浓度小于所述第一有源图案的锗的浓度，并且其中，所述第一半导体材料的锗的浓度与所述第二半导体材料的锗的浓度不同。
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